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1、怎样制备高纯硅
高纯硅的制备化学方程式：SiO2 C=Si 2CO，Si 2Cl2=SiCl4，SiCl4 2H2=Si 4HCl，反应条件都是：高温。高纯硅的制备一般首先由硅石（SiO2）制得工业硅（粗硅），再制成高纯的多晶硅，最后拉制成半导体材料硅单晶。
高纯硅的制备一般首先由硅石（SiO2）制得工业硅（粗硅），再制成高纯的多晶硅，最后拉制成半导体材料硅单晶。
还原法是当前制备高纯硅的主要方法。SiHCl3 H2=（一定条件）=Si 3HCl。SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiOHCl和H2，化学反应方程式为3SiHCl3 3H2O==H2SiO3 H2↑ 3HCl；在这个高温过程中若混入O2，H2有可能和O2发生爆炸。
2、碳化硅怎么分离
高温（1100－1500度）下将甲基三氯硅烷与氢气用石墨基体从普通碳化硅抷块中提炼生长出Very Very纯的碳化硅晶体。
离心分离法 离心分离是将待分离的混合液置于离心机中，利用其高速旋转的功能，使混合液中 的固体与液体或两种不相溶的液体产生不同的离心力，从而达到分离的目的。
用氢氟酸就行了。钛溶解（注意钛最易溶于氢氟酸），碳化硅不溶解。
两者熔点相差较大，加入适量氧化钙与二氧化硅生成硅酸钙熔点降的更低。故可加入氧化钙高温熔化，碳化硅密度大熔点高沉淀在下方，倒去上面熔化的硅酸钙剩下的就是较纯的碳化硅了。
3、粗硅的提纯
Si 3HCl=加热=SiHCl3 H2 SiHCl3 H2=高温=Si 3HCl 【氯化再氢气还原】原料贵，反应较容易。
工业制取粗硅的化学方程式是工业上用二氧化硅和碳高温反应生成粗硅和一氧化碳 sio2 2c=si co↑（反应条件是高温）这里sio2是氧化剂，c是还原剂。
步骤：用焦炭与石英砂（SiO2）混合高温，产生粗硅。（SiO2 2C=高温=Si 2CO↑）将粗硅与氯气高温，生成四氯化硅。（Si 2Cl2=高温=SiCl4）将氢气与四氯化硅高温，生成单晶硅。
必须保持干燥的主要原因是为了避免与水分反应产生不良的影响，并确保高纯度硅的质量和纯度。干燥对于粗硅提纯过程的重要性：氧化反应控制：粗硅中含有杂质和氧化物。
Si 2CO↑。但该反应只能得到纯度不高的硅，这种硅不能用作半导体材料，也不能用于制造硅整流器等，因此需要提纯硅得到高纯度的硅。
4、为什么高纯碳化硅粉一炉产能低
碳化硅粗料已能大量供应， 不能算高新技术产品，而技术含量极高 的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。（3）高纯度的单晶，可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。
Superior石墨有限公司是生产β-碳化硅的厂家，它们采用连续电热炉工艺在美国肯塔基的Hopkinsville厂生产。产品适用于制造碳化硅细粉和超细陶瓷级碳化硅粉料。2 Electro磨料公司是一家碳化硅加工厂。
低品级碳化硅（含sic约85%）是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。碳化硅的硬度很大，具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。
碳化硅（SiC）因其很大的硬度而成为一种重要的磨料，但其应用范围却超过一般的磨料。例如，它所具有的耐高温性、导热性而成为隧道窑或梭式窑的首选窑具材料之一，它所具有的导电性使其成为一种重要的电加热元件等。
高纯度、大结晶碳化硅原材料，保证了碳化硅切割微粉优良切割性能和稳定物理状态。粒度形状为等积而具刃锋，保证了碳化硅微粉作为切割刃料均衡自锐性，从而保证被切割材料TTV最小化。粒度分布集中并且均匀。
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